內地在太空成功驗證 第三代半導體材料製功率器件

【on.cc東網專訊】內地傳媒周日(2日)引述中國科學院微電子研究所消息指,中國在太空成功驗證了首款國產碳化硅(SiC)功率器件,第三代半導體材料有望牽引中國航天電源升級換代。

中國科學院微電子研究所研究員劉新宇表示,功率器件是實現電能變換和控制的核心,被譽為電力電子系統的心臟,是最基礎、應用最廣泛的器件之一。在硅基功率器件的性能逼近極限之際,以碳化硅為代表的第三代半導體材料,以其獨特優勢可滿足太空電源系統高能效、小型化、輕量化需求,對新一代航天技術發展具重要戰略意義。

劉新宇等團隊共同研製的碳化硅載荷系統,去年11月搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空,開展空間站軌道科學試驗。通過一個多月的在軌加電試驗,碳化硅載荷測試數據正常,成功進行高壓400V碳化硅功率器件在軌試驗與應用驗證,在電源系統中靜態、動態參數均符合預期。

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