長江存儲在美提告 控美光侵權

內地媒體報道，內地龍頭快閃記憶體及晶片製造商長江存儲（YMTC），已於上周四在美國法院起訴美國存儲晶片公司美光科技，以及全資子公司美光消費產品集團，侵犯其8項美國專利，稱美光在未經授權的情況下，利用長江存儲的專利技術與長江存儲進行競爭，保護市場佔有率，侵犯了長江存儲的利益，遏制了創新的動力。

涉8項記憶體專利

長江存儲在專利侵權起訴書中稱，美光的128層、176層等許多系列3D NAND侵犯長江存儲8項專利，美光使用長江存儲的專利技術，以抵禦來自長江存儲的競爭，並獲得和保護市場份額。訴訟是為了解決美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash（快閃記憶體）市場來阻止競爭和創新。

此外，長江存儲稱，集團已成為全球3D NAND市場的重要參與者。根據去年11月半導體資訊平台TechInsights披露的資訊，長江存儲是3D NAND閃存領域的領導者，超過了美光。NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲媒介，NAND Flash可製造固態硬盤（SSD）等存儲器，用於手機、伺服器、PC等產品。集邦諮詢數據顯示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌廠商中，三星、鎧俠、SK Group、威騰電子、美光的市佔率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商佔比僅3.8%。

去年10月美國商務部工業和安全局發布出口管制新規，限制對中國出口晶片製造設備等，將長江存儲NAND Flash晶片層數，限制在已量產的最新工藝上；同年12月美國將長江存儲納入出口管制實體清單。今年4月網信辦宣布對美光在華銷售產品實施網絡安全審查。