Samsung 3nm GAA 工藝真的比台積電領先嗎?

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文章來源:Qooah.com

目前全球已量產的最先進半導體工藝是 5nm,台積電此前表示,2022 年下半年將量產 3nm 工藝,沿用選擇 FinFET 晶體管技術。 Samsung 這邊也將 3nm 拉上了進程,選擇了 GAA(Gate-all-around)技術,並且幾個月前還成功流片,距離實現量產更近了一步。

Samsung 3nm GAA 工藝比起目前較成熟的 FinFET 晶體管技術來說是非常的「稚嫩」,當然,這並不是判斷誰更好的標準,那麼 GAA 又是什麼呢?據悉 ,GAA 是一種新型的環繞柵極晶體管,通過使用納米片設備製造出了 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代 FinFET 晶體管技術。

Samsung 的 3nm GAA(MBCFET)工藝分為 3GAAE / GAAP (3nm Gate- AlI-Around Early/Plus) 兩個階段。根據 Samsung 表示,與目前的 5nm 製造工藝相比,3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%, 性能提高了約 30%。

Samsung 電子裝置解決方案事業部門技術長 Jeong Eun-seung 在 8 月 25 日的一場網絡技術論壇中透露,Samsung 能夠搶在主要競爭者台積電之前,宣布 GAA 技術商業化。不過,就目前台積電的計劃來看,3nm 的真正量產商用 Samsung 不一定能趕在台積電前面。目前有消息稱 Samsung 3nm GAA 工藝可能會拖到 2024 年量產,將會直接與台積電 2nm 競爭,那又是差一個級別。

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